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       由广东工业大学研究团队在学术平台《Materials Science in Semiconductor Processing》中发表了一篇名为Effect of abrasive on tribological behavior and polishing effect of β-Ga2O3(100) substrate (磨料对β-Ga₂O₃(100)基片摩擦学行为和抛光效果的影响)的文章。

       内容摘要

       针对目前β-Ga2O3(100) 加工过程中存在易解理、加工表面完整性差等问题，本文通过摩擦磨损和抛光实验探究了磨料种类（碳化硅、氧化铝、氧化铈、金刚石）和磨料粒径（W3、W2、W1、W0.5）对基片加工过程的影响。结果表明，β-Ga 2O3(100) 基片加工表面完整性与磨料种类具有强关联关系，采用刃口锋锐的金刚石磨料具有较好效果；磨料粒径对β-Ga2O3(100)摩擦磨损和抛光效果有显著影响，使用细粒径的磨料能有效抑制解理凹坑和划痕的形成，使用W0.5金刚石抛光后基片表面粗糙度（Ra）下降至3.8nm，划痕深度下降至18nm；磨料形状和尺寸是影响β-Ga2O3(100)基片加工效果的关键，金刚石磨料粒径分布均匀、磨料轴比大部分在0.6 至0.9 之间，通过三体滚动方式实现基片表面材料的去除，因而其抛光效果最好。

       原文链接：

       https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.108059